原子層堆積を実行するための方法およびシステム

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (12件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 白根俊郎 , 村松貞男 , 野河信久 , 砂川克 , 橋本良郎 , 風間鉄也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-506154
公開番号（公開出願番号）：特表2007-530796
出願日： 2005年02月03日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：

【課題】原子層堆積を実行するための方法およびシステムを提供することである。【解決手段】原子層堆積(ALD)を実行するためのプラズマ処理システムは、処理チャンバと、処理チャンバ内で提供される基板ホルダと、処理チャンバに第1のガスおよび第2のガスを供給するように構成されたガス注入システムとを具備する。システムは、処理チャンバに連続的に第1のガス流れを流し、第1の時間に処理チャンバに第2のガス流れをパルス化して流すガス注入システムを制御するコントローラを含む。コントローラは、第2の時間に基板ホルダにRF電力をパルス化する。【選択図】

請求項（抜粋）：

処理チャンバと; 前記処理チャンバの中で提供され、基板を支持するように構成された基板ホルダと; 前記処理チャンバに第1のプリカーサおよび第2のプリカーサを供給するように構成されたガス注入システムと; 前記処理チャンバに前記第1のプリカーサを連続的に流すように、および第1の時間で前記処理チャンバに前記第2のプリカーサをパルスで流すようにガス注入システムを制御するように構成され、シーケンシャルに基板上に少なくとも1つの単分子層を堆積させるために第2の時間に基板ホルダにRF電力をパルス化するように構成されているコントローラとを具備する原子層堆積システム。

IPC (5件)：

C23C 16/515 , H05H 1/46 , H01L 21/205 , H01L 21/31 , H01L 21/285

FI (5件)：

C23C16/515 , H05H1/46 M , H01L21/205 , H01L21/31 C , H01L21/285 C

Fターム (65件)：

4K030AA01 , 4K030AA02 , 4K030AA03 , 4K030AA04 , 4K030AA06 , 4K030AA11 , 4K030AA12 , 4K030AA13 , 4K030AA14 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA01 , 4K030BA02 , 4K030BA06 , 4K030BA08 , 4K030BA10 , 4K030BA12 , 4K030BA13 , 4K030BA17 , 4K030BA18 , 4K030BA20 , 4K030BA21 , 4K030BA22 , 4K030BA38 , 4K030BA40 , 4K030BA42 , 4K030BA44 , 4K030EA01 , 4K030EA06 , 4K030FA01 , 4K030FA10 , 4K030JA09 , 4K030KA18 , 4K030KA20 , 4K030KA30 , 4K030KA41 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104DD44 , 4M104DD45 , 5F045AA15 , 5F045AB14 , 5F045AB31 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AC00 , 5F045AC03 , 5F045AC08 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045BB08 , 5F045BB17 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045EE19 , 5F045EH19

引用特許：

出願人引用 (3件)

成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-265243 出願人：東京エレクトロン株式会社
特開平4-361531
薄膜形成法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-155740 出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (3件)

成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-265243 出願人：東京エレクトロン株式会社
特開平4-361531
薄膜形成法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-155740 出願人：三菱電機株式会社

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