磁性薄膜

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-108030
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270246
出願日： 1997年03月22日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【目的】本発明は、異方性磁界が20Oe以上、電気比抵抗値が50μΩcm以上および飽和磁束密度が16kG以上を有する高周波帯域で優れた軟磁性を示す磁性膜を提供することを目的とする。【構成】一般式Co<SB>100-X-Y-Z</SB>Fe<SB>X</SB>M<SB>Y</SB>O<SB>Z</SB>(原子%)で示され、それぞれの原子比率が10<X<502<Y<106<Z<2515<X+Y+Z<65であり、Mは酸化物の生成熱が-1000kJ以上のAl,Zr,Ti,Hf,Mg,Be,あるいは希土類元素の中の1種または2種以上の元素であり、異方性磁界が20Oe以上、電気比抵抗値が50μΩcm以上および飽和磁束密度が16kG以上を有することを特徴とする磁性薄膜。

請求項（抜粋）：

一般式Co<SB>100-X-Y-Z</SB>Fe<SB>X</SB>M<SB>Y</SB>O<SB>Z</SB>(原子%)で示され、それぞれの原子比率が10<X<502<Y<106<Z<2515<X+Y+Z<65であり、Mは酸化物の生成熱が-1000kJ以上のAl,Zr,Ti,Hf,Mg,Be,および希土類元素の中の1種または2種以上の元素であり、異方性磁界が20Oe以上、電気比抵抗値が50μΩcm以上および飽和磁束密度が16kG以上を有することを特徴とする磁性薄膜。

IPC (4件)：

H01F 10/16 , G11B 5/127 , G11B 5/187 , G11B 5/31

FI (4件)：

H01F 10/16 , G11B 5/127 F , G11B 5/187 F , G11B 5/31 C

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