特許
J-GLOBAL ID：200903075202733323

固体撮像装置及びその製造方法

発明者：
森 三佳

森 三佳 について

, 
内田 幹也

内田 幹也 について

, 
山口 琢己

山口 琢己 について

, 
藤原 一夫

藤原 一夫 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (10件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-019618
公開番号（公開出願番号）：特開2006-210582
出願日： 2005年01月27日
公開日（公表日）： 2006年08月10日
要約：
【課題】 銅配線を用いるMOS型等の固体撮像装置及びその製造方法において、暗電流及び白キズ数の低減と、感度の向上を実現する。 【解決手段】 本発明の半導体装置は、基板101と、基板101上に形成され、光電変換部103を有する光電変換セルがアレイ状に配置された撮像領域と、基板101上に形成され、撮像領域の制御及び撮像領域からの信号の出力を行なう周辺回路領域と、基板101上に形成され且つ銅を含む材料よりなる銅含有配線層132、134及び138とを備え、銅の拡散を防止するための拡散防止層として、光電変換部103上に第1の拡散防止層121が形成されていると共に、銅含有配線層132、134及び138上に第2の拡散防止層122、123及び124が順に形成されている【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上に形成され、光電変換部を有する光電変換セルがアレイ状に配置された撮像領域と、 前記基板上に形成され、前記撮像領域の制御及び前記撮像領域からの信号の出力を行なう周辺回路領域と、 前記基板上に形成され且つ銅を含む材料よりなる銅含有配線層とを備え、 前記銅の拡散を防止するための拡散防止層として、前記光電変換部上に第1の拡散防止層が形成されていると共に、前記銅含有配線層上に第2の拡散防止層が形成されていることを特徴とする固体撮像装置。
IPC (3件)：
H01L 27/146 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52
FI (2件)：
H01L27/14 A ,  H01L21/88 M
Fターム (44件)：
4M118AA01 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CA31 ,  4M118CA32 ,  4M118CA33 ,  4M118CA34 ,  4M118CB13 ,  4M118CB14 ,  4M118DA18 ,  4M118EA01 ,  4M118FA06 ,  4M118GB11 ,  4M118GB15 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR01 ,  5F033RR06 ,  5F033VV06 ,  5F033VV07 ,  5F033WW03 ,  5F033XX01 ,  5F033XX05 ,  5F033XX28 ,  5F033XX32
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM