特許
J-GLOBAL ID：200903075229465037
記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-023257
公開番号（公開出願番号）：特開平10-208320
出願日： 1997年01月21日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【課題】光誘起強磁性薄膜を用いた超高密度の記憶装置を実現すること。【解決手段】GaAs基板1の上に光誘起強磁性薄膜2が形成されており、その上に尖針4が対向している。GaAs基板1はxyzスキャナ3の上に配設されており、尖針4との3次元的な相対的位置関係が可変となっている。薄膜2に青色の光を照射して分子の磁化の向きを揃える。尖針4と基板1との間に比較的大きな電圧を印加することで、尖針4と基板1との間に比較的大きな電流を流して、光誘起強磁性薄膜2の分子の磁化の向きを無秩序する書込が行える。又、GaAs基板1に一様に円偏光を照射してスピン偏極電子を光励起し、比較的小さな電圧を印加することで、光誘起強磁性薄膜2の分子の磁化の向きに応じて変化する尖針4と基板1との間のトンネル電流を検出することで、光誘起強磁性薄膜2の分子の磁化の向きを検出することができる。
請求項（抜粋）：
基板と、この基板上に形成された光誘起強磁性薄膜と、この光誘起強磁性薄膜に対向した尖針とを有し、前記尖針と前記光誘起強磁性薄膜との相対的位置関係を可変とし、前記基板及び前記尖針のうち少なくとも一方をスピン偏極電子が存在し得る材料とし、前記尖針と前記基板間に流れる前記スピン偏極電子のトンネル電流又は電界放出電流に基づいて前記光誘起強磁性薄膜の分子の磁化の向きを記録された情報として読み取ることを特徴とする記憶装置。
IPC (3件)：
G11B 9/00
, G11B 11/00
, H01L 43/08
G11B 9/00
, G11B 11/00
, H01L 43/08
