特許

J-GLOBAL ID：200903075231680271

半導体記憶装置

発明者： 村久木 康夫 ,  山岡 邦吏 ,  平野 博茂 ,  坂上 雅彦 ,  三木 隆 ,  中熊 哲治 ,  五寳 靖 ,  岩成 俊一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-142418
公開番号（公開出願番号）：特開2005-327337
出願日： 2004年05月12日
公開日（公表日）： 2005年11月24日
要約：

【課題】 処理温度が異なる組立工程の場合にもそれぞれ適応でき、さらに、ユーザーによって書き換え不可能とする場合にも適応し、異なる半導体記憶装置をそれぞれ開発する必要が無く、開発コストを抑えることができる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 不良領域を示す不良アドレス情報と半導体記憶装置の動作モード設定情報とを記憶する領域として、電気的に書き換え可能な不揮発性メモリーからなる第1の設定機能記憶領域103と、1回のみ書き換え可能な不揮発性メモリーからなる第2の設定機能記憶領域102とを有し、不良アドレスレジスタ111と動作モードレジスタ110とに対し、選択的に動作モード設定情報の転送及び不良アドレス情報の転送を行う。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

不揮発性メモリーが配列されたメモリーセルアレイ部と、該メモリーセルアレイ部のデータの入出力およびメモリー制御を行う周辺回路部と、を備える半導体記憶装置であって、 前記メモリーセルアレイ部は、 主記憶領域と、 前記主記憶領域の不良領域の代わりに情報を記憶する冗長記憶領域と、 前記不良領域を示す不良アドレス情報と、半導体記憶装置の動作モード設定情報と、を記憶する第1の設定機能記憶領域および第2の設定機能記憶領域と、を有し、 第1の設定機能記憶領域が電気的に書き換え可能な不揮発性メモリーからなり、かつ、第2の設定機能記憶領域が、1回のみ書き換え可能な不揮発性メモリーからなり、 前記周辺回路部は、 メモリー制御回路と、 前記動作モード設定情報を一次記憶する動作モードレジスタと、 前記不良アドレス情報を一次記憶する不良アドレスレジスタと、を有し、 前記第1の設定機能記憶領域と第2の設定機能記憶領域とから選択的に、前記動作モードレジスタへの前記動作モード設定情報の転送と、前記不良アドレスレジスタへの前記不良アドレス情報の転送と、を行う選択転送手段を備えることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C29/00 ,  G11C11/22

FI (2件)：

G11C29/00 671Z ,  G11C11/22 501P

Fターム (5件)：

5L106CC02 ,  5L106CC16 ,  5L106FF04 ,  5L106FF05 ,  5L106GG05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 不揮発性半導体メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-304003   出願人：株式会社東芝