特許
J-GLOBAL ID：200903017984007391
不揮発性半導体メモリ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-304003
公開番号（公開出願番号）：特開2002-117692
出願日： 2000年10月03日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：
【要約】【課題】 簡単な回路構成で、不良アドレス置換等の動作条件の初期化を可能とした不揮発性半導体メモリ装置を提供する。【解決手段】 不揮発性メモリセルが配列されたメモリセルアレイ1と、アドレスによりメモリセルアレイ1のメモリセル選択を行うロウデコーダ4,カラムデコーダ7と、メモリセルアレイ1の読み出しデータを検知増幅するセンスアンプ回路5とを備え、メモリセルアレイ1は、メモリ動作条件を決定する初期設定データが書き込まれる初期設定データ領域3が設定され且つ、初期設定データ領域3にはその初期設定データ領域3が正常であるか否かを示すステータスデータが書き込まれる。ステータスデータに基づいてその領域の良否判定が行われ、正常と判定された初期設定データ領域3の初期設定データが不良アドレスレジスタ13、電圧設定レジスタ15等に転送され、動作条件が初期設定される。
請求項（抜粋）：
不揮発性メモリセルが配列されたメモリセルアレイと、アドレスにより前記メモリセルアレイのメモリセル選択を行うデコード回路と、前記メモリセルアレイの読み出しデータを検知増幅するセンスアンプ回路とを備えた不揮発性半導体メモリ装置において、前記メモリセルアレイは、メモリ動作条件を決定する初期設定データが書き込まれる初期設定データ領域が設定され且つ、前記初期設定データ領域にはその初期設定データ領域が正常であるか否かを示すステータスデータが書き込まれるようにしたことを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。
IPC (4件)：
G11C 29/00 603
, G06F 12/16 310
, G11C 16/02
, G11C 16/06
G11C 29/00 603 J
, G06F 12/16 310 P
, G11C 17/00 601 E
, G11C 17/00 639 A
5B018GA10
, 5B018KA01
, 5B018NA06
, 5B018QA20
, 5B025AA03
, 5B025AB01
, 5B025AC01
, 5B025AD01
, 5B025AD04
, 5B025AD06
, 5B025AD13
, 5B025AE00
, 5B025AE08
, 5L106AA10
, 5L106CC09
, 5L106CC17
, 5L106CC22
, 5L106GG01
, 5L106GG07
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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