特許

J-GLOBAL ID：200903075263390135

半導体装置、半導体装置の製造方法および電子機器

発明者： 井上 啓一
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (2件)： 増田 達哉 ,  朝比 一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-065896
公開番号（公開出願番号）：特開2008-227316
出願日： 2007年03月14日
公開日（公表日）： 2008年09月25日
要約：

【課題】電極と、基板または絶縁層との密着性に優れる半導体装置、かかる半導体装置を簡便に製造する方法および信頼性の高い電子機器を提供すること。【解決手段】半導体装置1は、有機半導体層7と、絶縁部6と、有機半導体層7に重なるゲート部3と、有機半導体層7と絶縁部6との間に位置するソース部4と、有機半導体層7と絶縁部6との間に位置するドレイン部5と、を備え、絶縁部6は、典型金属元素で構成される複合金属酸化物を含み、ソース部4とドレイン部5の少なくとも一つが、絶縁部6を構成する複合金属酸化物の一部が導体化されたものを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

有機半導体層と、 絶縁部と、 前記有機半導体層に重なるゲート部と、 前記有機半導体層と前記絶縁部との間に位置するソース部と、 前記有機半導体層と前記絶縁部との間に位置するドレイン部と、を備え、 前記絶縁部は、典型金属元素で構成される複合金属酸化物を含み、前記ソース部と前記ドレイン部の少なくとも一つが、前記絶縁部を構成する前記複合金属酸化物の一部が導体化されたものを含む、ことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/324 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/28 ,  H01L 51/05

FI (8件)：

H01L29/78 617T ,  H01L21/316 P ,  H01L21/324 X ,  H01L29/50 M ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/28 100A

Fターム (71件)：

4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104CC01 ,  4M104DD88 ,  4M104DD99 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG15 ,  4M104HH08 ,  4M104HH09 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF17 ,  5F058BH01 ,  5F058BH17 ,  5F058BJ01 ,  5F110AA16 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110BB09 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE08 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF05 ,  5F110FF06 ,  5F110FF07 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK11 ,  5F110HK17 ,  5F110HK21 ,  5F110HK27 ,  5F110NN02 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN36 ,  5F110QQ06

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 透明電極の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-076466   出願人：ホーヤ株式会社, ホーヤ株式会社