透明電極の形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：藤村康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-076466
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031463
出願日： 1999年03月19日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】膜にダメージを与えることなく、結晶化を十分に進行させ、結晶性の良好な透明電極を形成する。また、耐熱性の低い基体(特にPMMA)の上に十分に高い電気伝導率を有する透明電極を形成する。【解決手段】透明電極材料を基体上にアモルファス状に堆積させ、これに前記材料の吸収端波長よりも短い波長を有し、かつ30〜100mJ/cm2/pulseのエネルギー密度を有するパルス・レーザ光を照射して結晶化させて、透明電極を形成する。

請求項（抜粋）：

透明電極材料を基体上にアモルファス状に堆積させ、これに前記材料の吸収端波長よりも短い波長の光を有し、かつ30〜100mJ/cm2/pulseのエネルギー密度を有するパルス・レーザ光を照射して結晶化させることを特徴とする透明電極の形成方法。

IPC (7件)：

H01L 29/43 , C01G 19/00 , C01G 25/00 , C23C 14/08 , C23C 14/58 , G02F 1/1343 , G09F 9/30 337

FI (7件)：

H01L 29/46 Z , C01G 19/00 A , C01G 25/00 , C23C 14/08 D , C23C 14/58 C , G02F 1/1343 , G09F 9/30 337

引用特許：

審査官引用 (10件)

透明導電膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-184227 出願人：カシオ計算機株式会社
低抵抗導電膜の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-119495 出願人：ソニー株式会社
特開平4-352419

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