不揮発性半導体記憶装置の閾値制御装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：花輪義男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-083488
公開番号（公開出願番号）：特開平10-283787
出願日： 1997年04月02日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：

【要約】【課題】フラッシュEEPROMのメモリセル閾値をできる限り少ないパルス数で変更する操作を行い、データ書換時間を短縮する。【解決手段】制御回路2は入出力回路1に入力されたアドレス、制御信号、データからデータ書換信号を判断し、書換信号が入力された回数を計数する。書換回数計数制御回路3は書換信号の入力回数と所定値を比較し、入力回数が前記所定値より小さいと判定された場合、1回の消去動作に用いる消去パルス数を第1の値に設定し、前記入力回数が前記所定値より大きいと判定された場合、前記消去パルス数を前記第2の値より大きな第2の値に設定する。パルス計数回路は設定された設定値だけ、パルス発生回路5が消去パルスを発生するよう制御する。

請求項（抜粋）：

主ビット線と、副ビット線と、前記副ビット線を前記主ビット線へ選択的に接続するビット線選択トランジスタと、前記ビット線選択トランジスタにより前記副ビット線を前記主ビット線へ接続した後、前記ビット線選択トランジスタを間欠的に導通させる導通手段と、不揮発性情報を保持するフローティングゲートおよびこのフローティングゲートに保持される情報の書込、消去または読取を制御するコントロールゲートを持ち、前記副ビット線に接続されるメモリセルトランジスタと、第1電位およびこの第1電位と異なる第2電位が交互に反復する駆動信号を、前記メモリセルトランジスタの閾値を操作するために前記コントロールゲートに与え、所定回数の情報書換の後、前記コントロールゲートに印加する前記駆動信号の所定パルス数を変更する駆動信号手段と、を具備したことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (6件)：

G11C 16/02 , G11C 11/41 , H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (5件)：

G11C 17/00 611 E , G11C 11/40 , G11C 17/00 601 B , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (5件)

不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-222734 出願人：日本鋼管株式会社
特開平3-250496
特開平3-012898

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