特許
J-GLOBAL ID:200903075309295060
光半導体装置
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (3件):
光石 俊郎
, 田中 康幸
, 松元 洋
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-108435
公開番号(公開出願番号):特開2009-260093
出願日: 2008年04月18日
公開日(公表日): 2009年11月05日
要約:
【課題】3元混晶の半導体結晶InGaAsからなる基板に、選択酸化狭窄構造を導入した光半導体装置を提供する。【解決手段】In組成比xが低い3元混晶の半導体結晶InxGa1-xAsからなる基板11と、基板11に低温で結晶成長された、InGaAs歪量子井戸構造からなる活性層13と、活性層13上に結晶成長されたAlAs層14とを有し、AlAs14の一部を選択的に酸化して、選択酸化層14’を形成し、選択酸化狭窄構造とした光半導体装置。【選択図】図1
請求項(抜粋):
In組成比xが低い3元混晶の半導体結晶InxGa1-xAsからなる基板と、
前記基板に低温で結晶成長された、InGaAs歪量子井戸構造からなる活性層と、
前記活性層上に結晶成長された、Alを含む半導体からなるAl含有半導体層とを有し、
前記Al含有半導体層の一部を選択的に酸化して、選択酸化狭窄構造としたことを特徴とする光半導体装置。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (17件):
5F173AA26
, 5F173AC03
, 5F173AC13
, 5F173AC35
, 5F173AC42
, 5F173AF04
, 5F173AF05
, 5F173AF13
, 5F173AF15
, 5F173AG12
, 5F173AH28
, 5F173AP05
, 5F173AP32
, 5F173AP33
, 5F173AP67
, 5F173AQ12
, 5F173AR99
引用特許:
出願人引用 (1件)
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光半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-247030
出願人:日本電信電話株式会社
審査官引用 (4件)