特許

J-GLOBAL ID：200903075318147847

半導体装置およびその製造方法

発明者： 三河 巧
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-188753
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015698
出願日： 1999年07月02日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】 保護膜として耐湿性に優れたシリコン窒化膜を使用しながらも、強誘電体薄膜を容量絶縁膜とする容量素子を内蔵し、なおかつ強誘電体特性の劣化のない半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 シリコン基板1上に形成された強誘電体膜を容量絶縁膜3とする強誘電体キャパシタ領域13を含む半導体装置を被覆して層間絶縁膜5が形成されており、かつその上に形成された配線層14を覆って、窒素とシランガスのみを使用した電気化学反応性化学気相成長法(ECR-CVD法)で成膜された、膜中の水素の結合状態がSi-H結合ではなくN-H結合の状態で含まれていることを特徴としたシリコン窒化膜からなる保護膜15を形成することにより、水素の拡散による容量絶縁膜3の劣化を防ぐことができる。

請求項（抜粋）：

基板上に少なくとも下電極、強誘電体膜からなる容量絶縁膜、及び上電極で構成された容量素子と、前記容量素子を被覆して形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の上に形成された電極配線とそれを被覆して形成された保護膜とを有し、かつ前記保護膜はRF電力によって発生する高密度プラズマ状態下で窒素とシランガスのみを使用した電子サイクロトロン共鳴化学気相堆積法(ECR-CVD法)で成膜されたシリコン窒化膜であることを特徴とした半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 21/318 B ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651

Fターム (22件)：

5F038AC05 ,  5F038AC09 ,  5F038AC14 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ14 ,  5F058BA05 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BF09 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ03 ,  5F083AD10 ,  5F083AD21 ,  5F083FR02 ,  5F083GA21 ,  5F083GA25 ,  5F083JA38 ,  5F083JA56 ,  5F083NA08 ,  5F083PR21

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 容量素子、半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-169387   出願人：松下電子工業株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-097176   出願人：株式会社リコー, リコー応用電子研究所株式会社