特許
J-GLOBAL ID:200903075318937937
光学装置及び測定方法、半導体デバイスの製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
大塚 康徳
, 高柳 司郎
, 大塚 康弘
, 木村 秀二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-216938
公開番号(公開出願番号):特開2004-061177
出願日: 2002年07月25日
公開日(公表日): 2004年02月26日
要約:
【課題】光路上に配置された光学素子の光学特性又はその変化をインシチューで計測すること。【解決手段】プラズマ光源11から所定位置に至るEUV光5の光路上に配置された光学素子6と、光センサ10と、前記光センサ10の出力に基づいて前記光学素子6の光学特性又はその変化を測定する測定器20とを備え、前記光センサ10は、前記光路の外に配置されていることを特徴とする光学装置によって、光路上に配置された光学素子6の光学特性又はその変化をインシチューで計測する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
光源から所定位置に至る光路上に配置された光学素子と、
光センサと、
前記光センサの出力に基づいて前記光学素子の光学特性又はその変化を測定する測定器と、
を備え、
前記光センサは、前記光路の外に配置されていることを特徴とする光学装置。
IPC (4件):
G01M11/00
, G01J1/02
, G01J1/04
, H01L21/027
FI (5件):
G01M11/00 T
, G01J1/02 K
, G01J1/04 E
, H01L21/30 516C
, H01L21/30 517
Fターム (16件):
2G065AA04
, 2G065AB05
, 2G065AB16
, 2G065AB30
, 2G065BB12
, 2G065CA29
, 2G086GG04
, 5F046BA04
, 5F046CB02
, 5F046DA01
, 5F046DB01
, 5F046DB10
, 5F046DC07
, 5F046GA03
, 5F046GA14
, 5F046GC03
引用特許: