プラズマ処理方法、半導体装置の製造方法および半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：金田暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-218311
公開番号（公開出願番号）：特開2003-027246
出願日： 2001年07月18日
公開日（公表日）： 2003年01月29日
要約：

【要約】【課題】高速な処理速度で大面積の基体を均一にプラズマ処理し、膜厚、膜質共に均一で特性の良好な堆積膜を形成する。【解決手段】電極1114に対して、第1の高周波電源1116から供給される第1の高周波(周波数f1、電力P1)と、第2の高周波電源1117から供給される第1の高周波より周波数の低い第2の高周波(周波数f2、電力P2)とが、その周波数を10MHz以上250MHz以下、f1に対するf2の比(f2/f1)が0.1以上0.9以下、電力の総和(P1+P2)に対するP2の割合が0.1以上0.9以下となるよう設定し、基体の処理中にf2を変える。

請求項（抜粋）：

減圧可能な反応容器内に導入したガスを前記反応容器内に設けられた電極に供給した高周波電力により分解してプラズマを生成して、被処理物を処理するプラズマ処理方法において、複数の異なる周波数の前記高周波電力を同一の前記電極に供給する工程と、前記各高周波電力のうち、少なくとも1つの前記高周波電力の周波数を前記処理中に変化させる周波数変化工程とを含むことを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (4件)：

C23C 16/509 , G03G 5/08 312 , G03G 5/08 360 , H01L 21/205

FI (4件)：

C23C 16/509 , G03G 5/08 312 , G03G 5/08 360 , H01L 21/205

Fターム (45件)：

2H068DA24 , 2H068EA24 , 2H068EA36 , 4K030AA06 , 4K030AA10 , 4K030AA17 , 4K030BA30 , 4K030BA37 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030FA03 , 4K030JA18 , 4K030KA30 , 4K030LA15 , 4K030LA17 , 5F045AA08 , 5F045AB04 , 5F045AB06 , 5F045AC01 , 5F045AC02 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AE11 , 5F045AE13 , 5F045AE15 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045BB02 , 5F045BB08 , 5F045BB16 , 5F045CA16 , 5F045DP04 , 5F045DP13 , 5F045DP28 , 5F045EB02 , 5F045EH04 , 5F045EH19

引用特許：

審査官引用 (2件)

プラズマ化学蒸着装置における高周波プラズマの大面積均一化方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-133830 出願人：三菱重工業株式会社
堆積膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-208410 出願人：キヤノン株式会社

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