特許
J-GLOBAL ID：200903075326160941
LSIの不要輻射低減システムおよび方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-135095
公開番号（公開出願番号）：特開平11-328234
出願日： 1998年05月18日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 LSIからの不要輻射を可及的に低減する。【解決手段】 LSIの回路接続情報および不要輻射源の電流波形を記憶する第1の記憶手段2と、回路接続情報および電流波形に基づいて、LSIの内部の不要輻射源からLSIの外部へつながる電源端子へ伝達される不要輻射の伝達関数を計算する伝達関数計算手段6と、不要輻射源に付加するインピーダンスに関する制約条件および電源端子における不要輻射の許容レベルを記憶する第2の記憶手段4と、制約条件の下で、電源端子における不要輻射を許容レベル以下となるインピーダンスを計算する不要輻射最適化手段8と、を備えたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
LSIの回路接続情報および不要輻射源の電流波形を記憶する第1の記憶手段と、前記回路接続情報および前記電流波形に基づいて、前記LSIの内部の不要輻射源から前記LSIの外部へつながる電源端子へ伝達される不要輻射の伝達関数を計算する伝達関数計算手段と、前記不要輻射源に付加するインピーダンスに関する制約条件および前記電源端子における不要輻射の許容レベルを記憶する第2の記憶手段と、前記制約条件の下で、前記電源端子における不要輻射を前記許容レベル以下となるインピーダンスを計算する不要輻射最適化手段と、を備えたことを特徴とするLSIの不要輻射低減システム。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G06F 15/60 658 V
, G06F 1/04 A
