特許
J-GLOBAL ID：200903075331030088

光起電力素子の製造方法

発明者：
藤岡 靖

藤岡 靖 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 荻上 豊規
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-018285
公開番号（公開出願番号）：特開平9-191119
出願日： 1996年01月10日
公開日（公表日）： 1997年07月22日
要約：
【要約】【目的】 シリコン系非単結晶からなる光起電力素子の実質的に真性の半導体層上にドーピング効率が高く、しかも光吸収が少ない良好な不純物ドーピング層を形成することにより、製造される光起電力素子の出力電圧、出力電流を高め、光電変換効率を高める。【構成】 シリコン系非単結晶半導体からなるnipまたはpin接合を有する光起電力素子のグロー放電を用いた製造方法において、前記光起電力素子のi型半導体層上の不純物ドーピング層形成時に、該層を形成する放電空間において、導入する原料ガスの前記放電空間の単位容積当たりの流量を、該層形成初期において該層形成中の平均値よりも相対的に少なくする。シリコン系非単結晶からなる光起電力素子の実質的に真性の半導体層上にドーピング効率を高め、しかも光吸収を少なくすることにより、製造される光起電力素子の出力電圧、出力電流を高め、光電変換効率を高めることができる。
請求項（抜粋）：
シリコン系非単結晶半導体からなるnipまたはpin接合を有する光起電力素子のグロー放電を用いた製造方法であって、前記光起電力素子のi型半導体層上の不純物ドーピング層形成時に、該層を形成する放電空間において、導入する原料ガスの前記放電空間の単位容積当たりの流量を、該層形成初期において該層形成中の平均値よりも相対的に少なくすることを特徴とする光起電力素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 31/04 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205
FI (5件)：
H01L 31/04 T ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 V ,  H01L 31/04 W
引用特許：
審査官引用 (3件)

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