特許
J-GLOBAL ID：200903075337139618
半導体装置の作製方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-315475
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153879
出願日： 1994年11月26日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：
【要約】【目的】 薄膜トランジスタの活性層の作製において、活性層の側面におけるプラズマダメージのない作製方法を提供する。【構成】 ガラス基板101上に形成された結晶性珪素膜103上にレジストマスク100を配置し、フッ化ハロゲンガスを主成分としたエッチングガスを用いて結晶性珪素膜103のエッチングを行う。こうして活性層104を形成する。この際、エッチングガスをプラズマ化させずにエッチングを行う。こうすることで、活性層104の側面にプラズマダメージが生じないプロセスとすることができる。フッ化ハロゲンガスとしては、ClF3 を用いることができる。
請求項（抜粋）：
島状に形成された珪素薄膜でなる活性層を有する薄膜トランジスタの作製方法であって、珪素薄膜上にマスクを配置する工程と、フッ化ハロゲンガスを主成分としたエッチングガスで珪素薄膜をエッチングし、活性層となる島状の領域を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (4件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, C23F 4/00
, H01L 21/3065
H01L 29/78 627 C
, H01L 21/302 F
