特許

J-GLOBAL ID：200903075350697158

ハイブリッド電極を用いた多結晶強誘電体コンデンサーヘテロ構造

発明者： ラメシュ,ラマムーアジー
出願人/特許権者： ベル コミュニケーションズ リサーチ,インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 谷 義一 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-516946
公開番号（公開出願番号）：特表平9-512963
出願日： 1995年11月03日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：

【要約】優れた信頼性と疲労や痕跡に対する耐性を有する強誘電体コンデンサーのヘテロ構造は、多結晶性金属酸化物を有する高導電性の白金のハイブリッド電極および結晶配向テンプレートの挿入が必須でないSi-CMOS-適合可能な基板上に堆積した強誘電体材料を具備する。

請求項（抜粋）：

下塗りされたシリコン化合物表面を有するシリコン基板と、前記表面上に成長した少なくとも1つの結晶性強誘電体材料層とを具備する強誘電体コンデンサーヘテロ構造であって、前記表面上に成長した金属層が前記ヘテロ構造に導電性を与え、かつ該金属層上に成長した金属酸化物層が前記強誘電体層のためのハイブリッドコンデンサー電極基板を形成していることを特徴とする強誘電体コンデンサーヘテロ構造。

IPC (8件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/108 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 誘電体薄膜の製造方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-215816   出願人：松下電器産業株式会社