特許
J-GLOBAL ID：200903075366069564
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-184328
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015798
出願日： 1999年06月29日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：
【要約】【課題】 lnGaAlP系半導体発光素子において、従来のGaAs基板では得られなかった種々の特徴を有し、且つ環境対策面においても改善された半導体発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】 GaAs基板の代わりにゲルマニウム基板を用いることによって、基板とInGaAlP系半導体の熱膨張率の差を小さくすることができ、さらに高温での熱安定性も大幅に改善することができる。その結果として、半導体発光素子の発光特性や信頼性を従来よりも改善することが可能となる。さらに、基板をp型とした場合に、従来よりも低抵抗とすることが可能であり、発光素子の設計の自由度が大幅に拡大する。また、GaAs基板を用いた従来の発光素子と比較して砒素(As)の含有量を劇的に減らすことができる点でも有利である。
請求項（抜粋）：
ゲルマニウム基板と、InGaAlP系半導体からなる発光層と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子。
Fターム (7件)：
5F041AA21
, 5F041AA43
, 5F041CA33
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA65
, 5F041CA88
