AlGaInP発光ダイオード

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢口平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-342409
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186360
出願日： 1995年12月28日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：

【要約】【課題】高輝度で低VF 特性を有し、長時間使用しても輝度劣化の少ない高性能なAlGaInP4元混晶の発光ダイオードを得る。【解決手段】高温で完全に格子整合させた状態で良質なエピタキシャル成長結晶を作る。エピタキシャル成長温度において格子整合するようなIn混晶比を選択する。電流拡散層には比抵抗の小さいGaPを使用する。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上に(Alx Ga1-x )y In1-y Pからなるダブルヘテロ接合発光構造を備えた発光ダイオードであって、GaAs基板とダブルヘテロ接合発光構造との間に多層膜の積層体から成る反射層を備え、該ダブルヘテロ接合を構成する各層がエピタキシャル成長温度においてGaAs基板に対して格子整合しており、該ダブルヘテロ接合発光構造の基板と反対側のクラッド層の上にGaPからなる電流拡散層を有し、GaAs基板上及び電流拡散層上にオーミック電極を備えたことを特徴とするAlGaInP発光ダイオード。

引用特許：

出願人引用 (8件)

特開平4-369874
特開昭58-199588
半導体発光装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-268541 出願人：富士通株式会社

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審査官引用 (8件)

特開平4-369874
特開昭58-199588
半導体発光装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-268541 出願人：富士通株式会社

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