窒化物半導体の電極

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-082428
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279643
出願日： 1995年04月07日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：

【要約】【目的】窒化物半導体と接着力が強い電極を提供するものであり、詳しくは窒化物半導体層に絶縁膜を介して形成された電極の接着力を向上させることにより、窒化物半導体を用いたLED、LD、受光素子等、各種デバイスの信頼性を向上させる。【構成】窒化物半導体4と電気的に接続された電極10が絶縁膜5を介して形成されており、絶縁膜5と電極10との間に電極と絶縁膜との接着力よりも大きな接着力を有する金属薄膜6が形成されている。

請求項（抜粋）：

窒化物半導体と電気的に接続された電極が絶縁膜を介して形成されており、さらに前記絶縁膜と前記電極との間に電極と絶縁膜との接着力よりも大きな接着力を有する金属薄膜が形成されていることを特徴とする窒化物半導体の電極。

IPC (3件)：

H01S 3/096 , H01L 29/43 , H01L 33/00

FI (5件)：

H01S 3/096 , H01L 33/00 E , H01L 29/46 R , H01L 29/46 H , H01L 29/46 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-242985
半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-277138 出願人：日本電気株式会社
特開平1-143259

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