ドープド薄膜の成膜方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-093282
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310437
出願日： 1993年04月20日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：

【要約】【目的】面間膜厚の均一化が図れるとともに、膜中のP濃度およびアニール後のシート抵抗値も均一となり、均一な性能の被処理体を得ることができるドープド薄膜の成膜方法を提供することにある。【構成】反応容器1内のウェハボート13に複数枚のシリコンウェハWを対面する面の相互間隔が実質的に一様となるように配設し、減圧された反応容器1内に成膜用ガスとドーパントを含むドープ用ガスを供給してシリコンウェハWの表面にドーパントの含まれた薄膜を形成するドープド薄膜の成膜方法において、前記シリコンウェハWの反応温度を480〜530 ゚の範囲に設定することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

反応容器内に複数枚の被処理体を対面する面の相互間隔が実質的に一様となるように配設し、減圧された前記反応容器内に成膜用ガスとドーパントを含むドープ用ガスを供給して前記被処理体の表面にドーパントの含まれた薄膜を形成するドープド薄膜の成膜方法において、前記被処理体の反応温度を480〜530°Cの範囲に設定することを特徴とするドープド薄膜の成膜方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , H01L 21/223

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-207024
特開平4-326512
特開平4-236422

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