レーザー光照射装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡田敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-076813
公開番号（公開出願番号）：特開平9-270393
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1997年10月14日
要約：

【要約】【課題】ラインビームを照射するレーザー光照射装置において、ラインビームの照射光強度分布を平坦化して、低照射光強度領域における微結晶形成を防ぎ、結晶粒の大きな非単結晶半導体層を得る。【解決手段】被処理基板に近接してスリット20を設けた。スリット20はラインビームの光強度が低下する照射ビームの両端領域を遮断するので、中央の光強度分布が平坦になった領域の光のみが基板に照射される。照射領域では再結晶化が均一にかつ十分に行われ、微結晶粒が形成されて残り、結晶化が不十分になることが防がれるので、ラインビーム複数回走査することで大面積の結晶化アニールが良好に行われる。

請求項（抜粋）：

レーザー光の発振源と、この発振源から照射されたレーザー光を複数のレンズの組み合わせからなる光学系より構成され、前記レーザー光を線状に変形して目標物に照射するレーザー光照射装置において、前記線状のレーザー光の線長方向の端部が前記目標物に照射されないように遮断したことを特徴とするレーザー光照射装置。

IPC (5件)：

H01L 21/268 , G02B 26/02 , H01L 21/20 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/268 B , G02B 26/02 B , H01L 21/20 , H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-307727
特開平4-032221
特開平2-000317

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