レーザーアニール方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-068670
公開番号（公開出願番号）：特開平8-241872
出願日： 1995年03月02日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：

【要約】【目的】レーザー光の照射によるアニール効果を均一なものとする。【構成】線状にビーム加工されたパルス発振のレーザー光をその線の幅方向に走査しながら照射し、例えば半導体材料に対するアニールを行う。この際、レーザービームのエネルギー密度のビームプロファイルをその走査方向(線状のレーザービームの幅方向)において台形の形状とする。そして、レーザービームが一部重なるように照射を行うことで、台形の形状に従った分布で、段階的にエネルギー密度の変化したレーザーパルスを所定の領域に連続的に照射することができる。

請求項（抜粋）：

線状に加工されたパルスレーザービームであって、前記レーザービームのエネルギープロファイルを台形状にして、前記パルスレーザーを被照射物に対し相対的に1方向に走査させながら照射することを特徴とするレーザーアニール方法。

IPC (2件)：

H01L 21/268 , H01L 21/20

FI (2件)：

H01L 21/268 B , H01L 21/20

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭64-076715
特開平2-224346
多結晶半導体膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-185661 出願人：三洋電機株式会社

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