特許
J-GLOBAL ID：200903075426645675

ライフタイム測定装置およびライフタイム測定方法

発明者：
児玉 知也

児玉 知也 について

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山本 直子

山本 直子 について

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古川 和彦

古川 和彦 について

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山本 達志

山本 達志 について

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柿本 典子

柿本 典子 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 西教 圭一郎 ,  杉山 毅至 ,  廣瀬 峰太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-005624
公開番号（公開出願番号）：特開2006-196621
出願日： 2005年01月12日
公開日（公表日）： 2006年07月27日
要約：
【課題】 大きいS/N比を得ることができ、簡便に、短時間で、精度良く半導体試料のライフタイムを測定できるライフタイム測定装置およびライフタイム測定方法を提供する。【解決手段】 反射板24を用いて検出用電磁波22の入射波と反射波により形成される定在波25を形成し、半導体試料23が配置される位置で定在波の電界強度が極大位置34、または、その付近に半導体試料23が配置されるように保持部が制御される。これによって検出手段29によって検出される反射波強度を可及的に大きくすることができる。したがって検出手段29は、検出用電磁波22の反射波強度信号のS/N比を可及的に大きくすることができる。これによって簡便に短時間で精度良く半導体試料23のライフタイムを測定することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体試料に過剰キャリアを発生させるための励起用電磁波を照射するための励起手段と、 半導体試料に過剰キャリアによって反射率が変化する検出用電磁波を照射するための照射手段と、 照射手段によって照射された検出用電磁波の半導体試料による反射波を検出する検出手段と、 検出手段によって検出される反射強度に基づいて、過剰キャリアのライフタイムを求める演算手段と、 検出用電磁波の定在波を形成する電磁波反射手段とを含み、 定在波の電界強度が極大、または、その付近となる位置に半導体試料の表面が配置されることを特徴とするライフタイム測定装置。
IPC (2件)：
H01L 21/66 ,  G01N 22/00
FI (2件)：
H01L21/66 M ,  G01N22/00 S
Fターム (8件)：
4M106AA01 ,  4M106BA05 ,  4M106BA09 ,  4M106BA20 ,  4M106CB11 ,  4M106DH18 ,  4M106DH32 ,  4M106DH35
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (3件)

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