特許
J-GLOBAL ID：200903075438170460
半導体装置用基板製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 栄男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-147349
公開番号（公開出願番号）：特開平7-007007
出願日： 1993年06月18日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：
【要約】【目的】 効率的な半導体装置用基板製造ができ、かつ半導体装置の高集積化が可能な半導体装置用基板製造方法の提供を目的とする。【構成】 半導体装置用基板1の表裏両面にポリシリコン膜20を形成し(図1B)、表面のポリシリコン膜だけをエッチングにより除去する(図1C)。裏面に残存したポリシリコン膜20を選択的にエッチングし、素子形成領域30だけを残す(図1D)。素子形成領域30に形成されたポリシリコン膜20と基板1との界面には歪ST10、ST20が生じ、基板1内の不純物(Fe等)が確実にトラップされる。また、ポリシリコン膜20が基板裏面に分離して形成されるので、ポリシリコン膜2の引張り応力が緩和され基板1が反ることが少なくなり、効率的な半導体装置用基板製造が可能となる。
請求項（抜粋）：
基板表裏面にゲッタリング膜を形成するゲッタリング膜形成工程、基板表面に形成されたゲッタリング膜を除去する表面除去工程、基板裏面のゲッタリング膜を選択的に除去する選択除去工程、を備えたことを特徴とする半導体装置用基板製造方法。
引用特許：
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