特許
J-GLOBAL ID：200903075454885320

窒化物系III-V族化合物半導体基板およびその製造方法ならびに半導体発光素子の製造方法ならびに半導体装置の製造方法

発明者：
後藤 修

後藤 修 について

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安齋 信一

安齋 信一 について

, 
中島 博

中島 博 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-273245
公開番号（公開出願番号）：特開2003-081697
出願日： 2001年09月10日
公開日（公表日）： 2003年03月19日
要約：
【要約】【課題】 窒化物系III-V族化合物半導体層をこれと異なる物質からなる基板上に成長させる場合に、基板の反りを抑える。【解決手段】 基板1の一主面上に第1の窒化物系III-V族化合物半導体層3を成長させ、これをパターニングすることによりストライプ形状の種結晶を形成し、この際、第1の領域では種結晶が第1の間隔で周期的に形成され、第2の領域では種結晶が第1の間隔より大きい第2の間隔で形成されるようにする。これらの種結晶を用いて基板1上に第2の窒化物系III-V族化合物半導体層4を横方向成長させ、その上に素子構造を形成する第3の窒化物系III-V族化合物半導体層Lを成長させる。
請求項（抜粋）：
基板の一主面上に成長された第1の窒化物系III-V族化合物半導体層をパターニングすることにより形成されたストライプ形状の種結晶を用いて上記基板上に第2の窒化物系III-V族化合物半導体層を横方向成長させた窒化物系III-V族化合物半導体基板において、互いに隣接する少なくとも一対の上記種結晶から横方向成長した上記第2の窒化物系III-V族化合物半導体層が会合していない領域を有することを特徴とする窒化物系III-V族化合物半導体基板。
IPC (3件)：
C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/343 610
FI (3件)：
C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/343 610
Fターム (50件)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EE05 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  4G077TK04 ,  4G077TK06 ,  5F045AA04 ,  5F045AA18 ,  5F045AA19 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB32 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AE29 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF07 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045AF14 ,  5F045AF20 ,  5F045BB11 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045HA12 ,  5F073AA13 ,  5F073AA46 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB08 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA21 ,  5F073DA32 ,  5F073DA33 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (2件)

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