特許
J-GLOBAL ID：200903084275038541

窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子

発明者：
竹川 一紀

竹川 一紀 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-218122
公開番号（公開出願番号）：特開2001-039800
出願日： 1999年07月30日
公開日（公表日）： 2001年02月13日
要約：
【要約】【課題】 マスクとして用いられるSiO2による上記の問題点を解決し、転位が低減され結晶性が良好な窒化物半導体を得ることができる窒化物半導体の成長方法を提供することであり、更に本発明の方法により得られた窒化物半導体を基板とする寿命特性の良好な窒化物半導体素子を提供することである。【解決手段】 異種基板1の上に、第1の窒化物半導体2を成長させる第1の工程と、その後、第1の窒化物半導体2に部分的に凹凸を形成して凹部側面に窒化物半導体の横方向の成長が可能な面を露出させる第2の工程と、その後、常圧以上の圧力条件下で、前記凹凸を有する第1の窒化物半導体2上に、第2の窒化物半導体3を成長させる第3の工程とを有する成長方法、及び前記方法により得られた基板とする窒化物半導体素子。
請求項（抜粋）：
窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板の上に、第1の窒化物半導体を成長させる第1の工程と、第1の工程後、前記第1の窒化物半導体に部分的に凹凸を形成して凹部側面に窒化物半導体の横方向の成長が可能な面を露出させる第2の工程と、第2の工程後、常圧以上の圧力条件下で、前記凹凸を有する第1の窒化物半導体上に、第2の窒化物半導体を成長させる第3の工程とを有することを特徴とする窒化物半導体の成長方法。
IPC (3件)：
C30B 29/38 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (3件)：
C30B 29/38 D ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 673
Fターム (27件)：
4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077FG18 ,  4G077FJ06 ,  4G077HA02 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA77 ,  5F041CB05 ,  5F073AA07 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35
引用特許：
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM