特許
J-GLOBAL ID:200903075461506475
Y系酸化物超電導体結晶の作製方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
秋田 収喜
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-132564
公開番号(公開出願番号):特開平6-211588
出願日: 1992年05月25日
公開日(公表日): 1994年08月02日
要約:
【要約】【目的】 Y系酸化物超電導体結晶の製造方法において、結晶粒の大きさを過冷度で制御するとともに、この作製時間の短縮を図ることにある。【構成】 Y系酸化物超電導体結晶の製造方法においては、Y系酸化物超電導体の前駆体表面に種結晶を置き、当該前駆体を半溶融状態に加熱した後、凝固域に過冷却し、その後結晶成長を行う。また、前駆体は、原料粉を所定比で混合し仮焼した仮焼粉を成型したものである。前記半溶融状態に加熱する温度は、1000°C〜1200°Cである。前記過冷度は、0°Cを越え100°C以下の範囲で行う。
請求項(抜粋):
Y系酸化物超電導体の前駆体表面に種結晶を置き、当該前駆体を半溶融状態に加熱した後、凝固域に過冷却し、その後結晶成長を行うことを特徴とするY系酸化物超電導体結晶の作製方法。
IPC (5件):
C30B 11/14 ZAA
, C01G 1/00
, C30B 29/22 501
, H01B 12/00 ZAA
, H01B 13/00 565
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