レーザ装置およびレーザを光学的にポンピングするための半導体レーザ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：矢野敏雄 , 山崎利臣 , 久野琢也 , 杉本博司 , 星公弘 , 二宮浩康 , アインゼル・フェリックス=ラインハルト , ラインハルト・アインゼル
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-253995
公開番号（公開出願番号）：特開2008-085346
出願日： 2007年09月28日
公開日（公表日）： 2008年04月10日
要約：

【課題】光学的にポンピングされるレーザと、レーザを光学的にポンピングする半導体レーザとから成る改善されたレーザ装置を提供すること。この装置は殊に、光学的ポンピングの改善された効率を特徴とし、このレーザ装置の構造サイズは比較的小さく、製造コストは比較的低い。さらに、レーザを光学的にポンピングするための有利な半導体レーザを提供すること。【解決手段】半導体レーザは、モノリシックに集積された、重なり合って配置された複数の活性領域を含んでおり、少なくとも2つまたは2つより多い活性領域は異なる波長のポンピングビームを放出するレーザ装置、および半導体レーザは、モノリシックに集積された、重なり合って配置された複数の活性領域を有しており、少なくとも2つまたは2つより多い活性領域は異なる波長のポンピングビームを放出する、レーザを光学的にポンピングするための半導体レーザ。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

光学的にポンピングされるレーザ(2)と少なくとも1つの半導体レーザ(1)とから成るレーザ装置であって、前記半導体レーザは、光学的にポンピングされるレーザ(2)をポンピングするためのポンピングビーム(6)を放出する形式のものにおいて、前記半導体レーザ(1)は、モノリシックに集積された、重なり合って配置された複数の活性領域(3、4、5)を含んでおり、少なくとも2つまたは2つより多い前記活性領域(3、4、5)は、異なる波長のポンピングビーム(6)を放出する、ことを特徴とするレーザ装置。

IPC (2件)：

H01S 3/093 , H01S 5/343

FI (2件)：

H01S3/091 S , H01S5/343

Fターム (23件)：

5F172AE03 , 5F172AE06 , 5F172AE08 , 5F172AE09 , 5F172AF02 , 5F172AF06 , 5F172AF07 , 5F172AL01 , 5F172AL07 , 5F172AM08 , 5F172EE13 , 5F172EE15 , 5F172NN21 , 5F173AD01 , 5F173AD06 , 5F173AF03 , 5F173AF08 , 5F173AH03 , 5F173AH06 , 5F173AH22 , 5F173AH48 , 5F173AH49 , 5F173AR99

引用特許：

出願人引用 (2件)

WO99/39405号
US5,212,706号

審査官引用 (3件)

レーザー光発生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-031429 出願人：ソニー株式会社
特開平2-122581
特開平2-054982

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