特許
J-GLOBAL ID：200903075476358138
磁気抵抗効果素子及びそれを用いた磁気メモリ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-065912
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257395
出願日： 2000年03月10日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：
【要約】【課題】 従来の垂直磁化膜を用いた巨大磁気抵抗効果素子およびトンネル磁気抵抗効果素子は、磁気ヘッドあるいは磁気メモリとして用いるためには、磁気抵抗変化率が小さい。【解決手段】 少なくとも第1の磁性層11、高分極率層12、非磁性層13、高分極率層14、第2の磁性層15で構成され、第1の磁性層11および第2の磁性層15は垂直磁化膜からなり、高分極率層12、14はスピン分極率の大きな材料で構成される。
請求項（抜粋）：
少なくとも第1の磁性層、非磁性層、第2の磁性層で構成され、該第1及び第2の磁性層が垂直磁気異方性を有する磁気抵抗効果素子において、該第1或いは第2の磁性層と非磁性層との間に高分極率層が挿入されていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (5件)：
H01L 43/08
, G11B 5/39
, G11C 11/15
, H01F 10/13
, H01F 10/16
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, G11C 11/15
, H01F 10/13
, H01F 10/16
5D034BA05
, 5D034BA15
, 5D034CA00
, 5D034CA08
, 5E049AA01
, 5E049AA04
, 5E049AC01
, 5E049BA12
, 5E049BA16
, 5E049CB02
, 5E049DB12
