特許
J-GLOBAL ID：200903023067060062
磁性メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
二瓶 正敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-302425
公開番号（公開出願番号）：特開平10-134560
出願日： 1996年10月28日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：
【要約】【課題】 従来、GMR効果を利用した磁性メモリにおいては、磁性層の磁化容易軸が膜面内にあり、十分なS/Nを得るために、情報記録時に電流を流すワード線と直交させるために磁化容易軸の向きを制御することが困難であった。【解決手段】 磁性層を、垂直磁気異方性を有する磁性膜により形成する。
請求項（抜粋）：
非磁性層の上下両面に、磁気異方性を有する磁性層がそれぞれ積層され、前記各磁性層の磁化の方向により情報を記録する磁性メモリにおいて、前記磁性層が垂直磁気異方性を有する磁性膜により形成されていることを特徴とする、磁性メモリ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 11/14 F
, H01F 10/08
