特許
J-GLOBAL ID：200903004358854517

フッ素化非晶質炭素膜材料およびその製造方法および半導体装置

発明者：
遠藤 和彦

遠藤 和彦 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-035023
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236517
出願日： 1995年02月23日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：
【要約】【目的】 多層配線用層間絶縁膜に使用されるフッ素含有非晶質炭素膜に、窒素またはシリコン原子を含有させ、耐熱性及びエッチング特性を向上させる。【構成】 フッ化炭素ガスを用いてプラズマを発生させ、フッ素化非晶質炭素膜を成膜する際に、窒素あるいはシリコンガスを同時に流し、従来のフッ素化非晶質炭素膜へ窒素原子あるいはシリコン原子を含有させ、膜中に炭素-窒素結合、あるいは炭素-シリコン結合という強固な結合を形成させて、膜の架橋度を高め耐熱性を高める。また同時にこれらの結合は、炭素-炭素結合よりも強固であることを利用してO2 プラズマによる膜のエッチング耐性を高める。更にフッ化炭素系のエッチングの際、膜中にシリコンを含有させることにより、エッチング速度をレジスト材料よりも高め、シリコン含有非晶質炭素膜のみが選択エッチングされるようにして、パターン形状に従来のレジストが使用できる。
請求項（抜粋）：
膜中に窒素を含有させることを特徴とするフッ素化非晶質炭素膜材料。
IPC (2件)：
H01L 21/312 ,  C01B 31/00
FI (2件)：
H01L 21/312 A ,  C01B 31/00
引用特許：
審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM