特許

J-GLOBAL ID：200903075494638083

熱電素子

発明者： 麻谷 崇史 ,  木村 富士巳
出願人/特許権者： TDK株式会社
代理人 (2件)： 毛受 隆典 ,  木村 満
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-174221
公開番号（公開出願番号）：特開2007-116087
出願日： 2006年06月23日
公開日（公表日）： 2007年05月10日
要約：

【課題】素子の不良を抑制することが可能な熱電素子を提供する。【解決手段】熱電素子10は、高温側の第1の基板11と、第1の基板に対向し低温側の第2の基板12と、第2の基板12上にシリコン層20を介して設置された熱電材料15と、第1の基板11上に形成された第1の電極13と、シリコン層20上に形成された第2の電極14とを備える。熱電素子10は、更に第1の電極13と熱電材料15との間に形成され、複数の柱部16aを備える応力緩和部16を備える。応力緩和部16によって、熱電素子10内に生じる応力によって熱電素子10内に亀裂が生じる等の不良を抑制することができる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1の基板と、 前記第1の基板に対向する第2の基板と、 前記第1の基板と前記第2の基板との間に設けられ、温度勾配によって熱起電力が生ずる熱電材料と、 前記熱電材料の高温部に電気的に接続された第1の電極と、 前記熱電材料の低温部に電気的に接続された第2の電極と、 前記第1の電極と前記熱電材料とを熱的に接続し、可撓性を有する少なくとも一つ以上の応力緩和部と、を備えることを特徴とする熱電素子。

IPC (3件)：

H01L 35/32 ,  H01L 35/30 ,  H02N 11/00

FI (3件)：

H01L35/32 A ,  H01L35/30 ,  H02N11/00 A

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 薄膜熱電対集積型熱電変換デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-138442   出願人：日本航空電子工業株式会社

審査官引用 (1件)

• 熱電装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-137893   出願人：アイシン精機株式会社