特許

J-GLOBAL ID：200903075520726891

カーボンナノチューブの製造方法

発明者： 星 文之 ,  石倉 威文 ,  湯村 守雄 ,  大嶋 哲 ,  藤原 修三 ,  古賀 義紀
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  東京瓦斯株式会社
代理人 (2件)： 池浦 敏明 ,  池浦 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-379353
公開番号（公開出願番号）：特開2002-180252
出願日： 2000年12月13日
公開日（公表日）： 2002年06月26日
要約：

【要約】【課題】 CVD法によりカーボンナノチューブを製造する方法において、基体上に均一方向に成長したカーボンナノチューブを製造する方法を提供する。【解決手段】 基体上に触媒金属を0.001〜0.005モル/m2の割合で蒸着させて形成した活性基体上に、1100〜1250°Cの温度において、有機炭素原料の気体を流通させて熱分解させ、該活性基体上にカーボンナノチューブを生成させることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。

請求項（抜粋）：

基体上に触媒金属を0.001〜0.005モル/m2の割合で蒸着させて形成した活性基体上に、1100〜1250°Cの温度において、有機炭素原料の気体を流通させて熱分解させ、該活性基体上にカーボンナノチューブを生成させることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。

IPC (4件)：

C23C 16/26 ,  B82B 3/00 ,  C01B 31/02 101 ,  D01F 9/127

FI (4件)：

C23C 16/26 ,  B82B 3/00 ,  C01B 31/02 101 F ,  D01F 9/127

Fターム (16件)：

4G046CA02 ,  4G046CB03 ,  4G046CC06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA10 ,  4K030BA27 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4L037CS03 ,  4L037FA03 ,  4L037FA04 ,  4L037PA03 ,  4L037PA05 ,  4L037PA06 ,  4L037PA12

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 接着性カ-ボンナノチュ-ブ膜を有するデバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-266103   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド