特許
J-GLOBAL ID:200903075522260326

光触媒活性を有する物品

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大野 精市
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-222548
公開番号(公開出願番号):特開2001-046881
出願日: 1999年08月05日
公開日(公表日): 2001年02月20日
要約:
【要約】【課題】光触媒活性を有する酸化チタン膜は、電荷分離した電子と正孔が膜中で再結合してしまい、光触媒活性に寄与する膜表面の正孔を数多く生成させることが困難であるという課題があった。そのため触媒活性を効果的に高めることができない課題があった。【解決手段】ガラス板表面に光触媒膜の下地層として50nmの厚みの第1のn型半導体膜である酸化ニオブ膜を被覆し、下地層の上に250nmの厚みの酸化チタンの光触媒膜を被覆して表面が光触媒活性を有する物品とする。両被膜はスパッタリングで被覆することができる。下地層となる第1のn型半導体膜を、そのエネルギーバンドギャップが酸化チタンのエネルギーバンドギャップよりも大きくなるように選ぶ。これにより、より多くの数の正孔を膜表面近傍に生起させる。
請求項(抜粋):
基体表面に下地層としての第1のn型半導体膜と前記下地層の上にn型半導体である光触媒膜が積層された光触媒活性を有する物品であって、前記下地層としての第1のn型半導体膜のエネルギーバンドギャップが前記光触媒膜のエネルギーバンドギャップよりも大きいことを特徴とする光触媒活性を有する物品。
IPC (2件):
B01J 35/02 ,  C03C 17/34
FI (2件):
B01J 35/02 J ,  C03C 17/34 Z
Fターム (17件):
4G059AA01 ,  4G059AB01 ,  4G059AC11 ,  4G059AC21 ,  4G059GA01 ,  4G059GA02 ,  4G059GA12 ,  4G069AA03 ,  4G069AA08 ,  4G069BA01B ,  4G069BA04A ,  4G069BA04B ,  4G069BA48A ,  4G069BC22B ,  4G069BC35B ,  4G069BC55B ,  4G069CA11
引用特許:
審査官引用 (7件)
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