特許

J-GLOBAL ID：200903075549903970

半導体製造装置

発明者： 中村 直人
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 油井 透 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-171441
公開番号（公開出願番号）：特開平11-016846
出願日： 1997年06月27日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：

【要約】【課題】 炉内でボートを回転する形式の縦型炉において、回転軸シールを保護するためのパージガスの導入経路に改良を加えることで、外部不純ガスの混入防止とパージガスの漏れ防止を図る。【解決手段】 回転機構35の本体部36とシールキャップ32との間に、回転軸シール39を炉内雰囲気から遠ざけるための連結筒40を設けた縦型炉の下部構造において、連結筒40にパージガス導入ポート50を設け、導入ポートにパージガス導入管51を接続し、パージガス導入管の基端開口52をシールキャップ32の炉口25に対する合わせ面レベルに上向きに設ける。一方、炉本体21側にパージガス供給管55を設け、パージガス供給管55の先端開口56を、シールキャップ32で炉口25を塞いだときパージガス導入管51の基端開口52と気密に連通する位置に下向きに設ける。

請求項（抜粋）：

下端の炉口よりウェーハを載せたボートが挿入及び引出される炉本体と、前記炉口を開閉するべく昇降機構によって前記ボートの設置台と共に昇降させられるシールキャップと、このシールキャップより下側に該シールキャップと共に昇降するよう本体部が配設され、回転軸を駆動することで設置台を水平面内で回転させる回転機構と、前記回転機構の本体部と前記シールキャップとの間に介在された連結筒とを備えた半導体製造装置において、前記連結筒に、パージガスを該連結筒内に導入するための導入ポートを設けると共に、該導入ポートにパージガス導入管の先端を接続して、該パージガス導入管の基端開口を、前記シールキャップの炉口に対する合わせ面レベルに上向きに設け、一方、前記炉本体側にパージガス供給管を設け、該パージガス供給管の先端開口を、前記シールキャップが炉口を塞いだとき前記パージガス導入管の基端開口と気密に連通する位置に下向きに設けたことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/22 511 ,  C23C 8/06 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

H01L 21/22 511 S ,  C23C 8/06 ,  C23C 16/44 D ,  H01L 21/205

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 縦型熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-140730   出願人：東京エレクトロン株式会社