半導体装置の製造方法

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-183908
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015479
出願日： 1999年06月29日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】被加工膜の下地がシリコン基板であっても、マスク層の除去時にシリコン基板をエッチングしない。【解決手段】シリコン基板11上に形成されたシリコン酸化膜12上にWO3 膜13を形成する。そして、全面にAl2O3膜14の堆積,有機反射防止膜15の塗布焼成を順次行った後、所定パターンのレジストパターン16を形成する((a))。RIE処理による有機反射防止膜15のエッチング、RIE処理によるAl2O3膜14のエッチングを行う((b))。RIE処理によりWO3 膜13をエッチングし、シリコン酸化膜12の上面を露出させる((c))。RIE処理によりシリコン酸化膜12をエッチングし、シリコン基板11を露出させる((d))。60°Cの温水に浸漬することにより、WO3 膜13を溶解する共に、Al2O3膜14をリフトオフする((e))。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された被処理膜上に、溶解液に可溶な可溶性薄膜を形成する工程と、前記可溶性薄膜上に、マスク層を形成する工程と、前記マスク層上に所望のパターンのレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンの上面をエッチングしつつ、前記マスク層に該レジストパターンのパターンを転写する工程と、残存する前記レジストパターン又は前記マスク層の上面をエッチングしつつ、前記可溶性薄膜及び被処理基板に前記レジストパターン及びマスク層のパターンを転写する工程と、前記溶解液を用いて前記可溶性薄膜を除去すると共に、前記マスク層をリフトオフする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 , H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/306 D , H01L 21/302 J

Fターム (19件)：

5F004AA04 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA16 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F004DB00 , 5F004DB03 , 5F004DB13 , 5F004DB14 , 5F004EA03 , 5F004EA05 , 5F004EA22 , 5F004EB01 , 5F043AA31 , 5F043AA40 , 5F043BB22 , 5F043BB30 , 5F043GG02

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭58-027324
特開昭59-132132
電子部品素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-021155 出願人：株式会社村田製作所

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