特許
J-GLOBAL ID：200903075559761988
運動センサーを製造する方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八木田 茂 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-069633
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335908
出願日： 1994年04月07日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 単結晶Siウエハーからその機械的性質を継承した高性能の超小型運動センサの製造方法を提供する。【構成】 基層ウエハー10上に沈着させた第1レジスト層に選択的にエッチング窓を形成し、この窓を通してエッチングして第1キャビティ16を形成する。つぎに比較的に厚い膜ウエハー24を基層ウエハー10に接着してキャビティ16をカバーする。膜ウエハー24を研磨して薄い膜24aを形成し、この上に第2レジスト層を沈着し、これにパターン状に窓を開け、この窓を通して第1キャビティ16が露出するまでエッチングして薄い膜24aを加工し、自立共鳴器構造の超小型運動センサを製作する。
請求項（抜粋）：
(a) 基層ウエハーを設けること、(b) 前記基層ウエハー上に第1レジスト層を沈着すること、(c) 前記第1レジスト層の選択された区域を除去して、第1エッチング窓を形成すること、(d) 前記第1窓を通して第1エッチング工程を実施することにより基層ウエハーに第1キャビティを形成すること、(e) 比較的厚い膜を基層ウエハーに接合して、前記キャビティをカバーすること、(f) 比較的厚い膜ウエハーの表面を研磨して比較的薄い膜を形成すること、(g) 前記比較的薄い膜に第2レジスト層を沈着すること、(h) 前記第2沈着レジスト層の選択された区域を除去して、第2エッチング窓を形成すること、(i) 第2エッチング窓の区域の比較的薄い膜を第1キャビティが露出するまでエッチングして、前記比較的薄い膜に固定部分から延びる複数のコンプライアントビームマウントに吊下げられた自立共鳴器構造を形成することの各工程を備えた運動センサーを製造する方法。
IPC (4件)：
H01L 29/84
, G01C 19/56
, G01P 9/04
, G01P 15/125
