特許
J-GLOBAL ID：200903075563845878

セラミック焼結体およびその製造方法、ならびにそれを用いた半導体素子製造装置用部材

発明者：
佐藤 政宏

佐藤 政宏 について

, 
瀬知 啓久

瀬知 啓久 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-059460
公開番号（公開出願番号）：特開平11-255557
出願日： 1998年03月11日
公開日（公表日）： 1999年09月21日
要約：
【要約】【課題】低熱膨張性とともに高ヤング率を有し、半導体素子を製造するための装置用部材に適したセラミック焼結体とその製造方法を提供する。【解決手段】コージェライト粉末に、MgOを0.5〜10重量%、Al2 O3を1〜15重量%添加混合した成形体を1000〜1200°Cで1〜10時間保持して、MgO、Al2 O3 をコージェライト結晶中に固溶させた後、1200〜1500°Cの温度で焼成することによって、化学量論組成比よりもMgO、Al2 O3 が過剰に固溶したコージェライト結晶相を主体とし、室温での熱膨張率が0.5×10-6/°C以下、ヤング率が130GPa以上、相対密度が95%以上のセラミック焼結体を得る。なお、焼結体中には、希土類元素を酸化物換算で20重量%以下、窒化珪素、炭化珪素、酸窒化珪素等を30重量%以下の割合で含有することが望ましい。
請求項（抜粋）：
化学量論組成比(2MgO・2Al2 O3 ・5SiO2 )よりもMgOおよびAl2 O3 が過剰に固溶したコージェライト結晶相を主体としてなり、室温での熱膨張率が0.5×10-6/°C以下、ヤング率が130GPa以上、相対密度が95%以上のセラミック焼結体。
IPC (3件)：
C04B 35/195 ,  B01J 3/00 ,  H01L 21/22 501
FI (3件)：
C04B 35/16 A ,  B01J 3/00 K ,  H01L 21/22 501 M
引用特許：
審査官引用 (7件)
  • 耐食性部材
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-136553   出願人：京セラ株式会社
  • 特開昭58-079869
  • 特開昭56-155068
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