特許
J-GLOBAL ID：200903075602424478
半導体レーザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
中野 佳直 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-221089
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069593
出願日： 1992年08月20日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：
【要約】【目的】 半導体レーザ装置の製造上、特性上の問題を解決する。【構成】 クラッド層が活性層15よりバンドギャップの大きく、かつ厚さ0.003-0.3μmの第1クラッド層14,16と、活性層より屈折率の低い第2クラッド層13,17とからなり、第1クラッド層を第2クラッド層よりも活性層側に配置した。この構成により、第1クラッド層は活性層にキャリアを閉じ込め、また第2クラッド層は活性層に光を閉じ込める。第1クラッド層を薄膜で形成するため、キャリアがトンネル現象により活性層から外へ移動しにくく、またその格子定数が少々異なっても基板に格子整合させることができる。したがって、第2クラッド層はバンドギャップの大きさに無頓着に材料を選択できるため、レーザの発振しきい値電流密度の低減や温度特性を向上させることが可能となる。
請求項（抜粋）：
活性層の両側にクラッド層を設けた半導体レーザ装置において、前記クラッド層が前記活性層よりバンドギャップの大きく、かつ厚さ0.003〜0.3μmの第1クラッド層と、前記活性層より屈折率の低い第2クラッド層とからなり、前記第1クラッド層を前記第2クラッド層よりも前記活性層側に配置することを特徴とする半導体レーザ装置。
引用特許：
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