特許
J-GLOBAL ID:200903075613657296
バイアホール形成方法及びレーザ加工装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
後藤 洋介 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-218775
公開番号(公開出願番号):特開平11-103149
出願日: 1995年06月09日
公開日(公表日): 1999年04月13日
要約:
【要約】【課題】 湿式後処理のような複雑な後処理工程を必要としないバイアホール形成方法を提供すること。【解決手段】 金属膜上のポリマー層に、前記金属膜に達するバイアホールを形成する方法であり、レーザ光を用いて前記ポリマー層にバイアホールを形成する第1の工程と、乾式処理により前記バイアホールの加工残物を除去する第2の工程とを含む。
請求項(抜粋):
金属膜上のポリマー層に、前記金属膜に達するバイアホールを形成するバイアホール形成方法において、レーザ光を用いて前記ポリマー層にバイアホールを形成する第1の工程と、乾式処理により前記バイアホールの加工残物を除去する第2の工程とを含むことを特徴とするバイアホール形成方法。
IPC (4件):
H05K 3/00
, B23K 26/00
, B23K 26/00 330
, H05K 3/46
FI (5件):
H05K 3/00 N
, B23K 26/00 H
, B23K 26/00 330
, H05K 3/46 X
, H05K 3/46 N
引用特許:
審査官引用 (3件)
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特開平3-190186
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YAGレーザ加工装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-120234
出願人:株式会社フジクラ
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レーザ加工装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-261542
出願人:オリンパス光学工業株式会社
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