特許

J-GLOBAL ID：200903075618099518

窒化炭素化合物の製造方法

発明者： 角舘 洋三 ,  藤原 修三 ,  出野 裕 ,  杉山 修一
出願人/特許権者： 工業技術院長 ,  株式会社富士電機総合研究所
代理人 (2件)： 篠部 正治 (外1名) ,  篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-220011
公開番号（公開出願番号）：特開2001-059156
出願日： 1996年12月26日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
要約：

【要約】【課題】窒化炭素化合物をいかなる材料の基板にも成膜できるようにする。【解決手段】真空容器内でグラファイトよりなる電極1と電極2の間隙に窒素ガスを流した状態でピンチプラズマ3を発生させ、このピンチプラズマ3によって窒化炭素化合物の膜6を基板35上に形成させる。

請求項（抜粋）：

真空容器内にグラファイトよりなる電極対を収納し、前記電極対の間隙に窒素ガスを流した状態でピンチプラズマを発生させ、このピンチプラズマによって窒化炭素化合物を基板上に成膜させることを特徴とする窒化炭素化合物の製造方法。

IPC (3件)：

C23C 14/06 ,  C01B 21/082 ,  C23C 14/32

FI (3件)：

C23C 14/06 A ,  C01B 21/082 K ,  C23C 14/32 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 窒化炭素薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-294807   出願人：電気化学工業株式会社
• 特開昭58-145099