特許

J-GLOBAL ID：200903075622966650

酸化膜の形成方法

発明者： 村原 正隆 ,  津田 裕
出願人/特許権者： 学校法人東海大学 ,  ウシオ電機株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-222049
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088222
出願日： 1994年09月16日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：

【要約】【構成】NF3 と酸素又は酸素化合物(N2 O、NO2 、O3 、CO2 )との混合ガス雰囲気中にシリコンウエハ基板、又はシリコン及び基板(シリコンウエハ、SiO2 、ガラス、セラミックス、SiC、カーボン、ダイヤモンド、フッ素樹脂、フッ化物結晶など)を配置し、前記混合ガス雰囲気中に180nm未満の波長の真空紫外光(エキシマランプ、ハロゲンランプ、D2 ランプ、非線形材料によるハーモニックス紫外レーザー、空気、窒素又は他のガス雰囲気のアーク、コロナ又は無声放電により得られる真空紫外光)を入射して、基板上にシリコン酸化膜を形成する酸化膜の形成方法。【効果】絶縁酸化膜が室温で簡単にしかも安価に形成できるため、製造工程を省力化することができる。

請求項（抜粋）：

NF3 と酸素又は酸素化合物との混合ガス雰囲気中にシリコン及び基板を配置し、前記混合ガス雰囲気中に180nm未満の波長の真空紫外光を入射して、基板上にシリコン酸化膜を形成する酸化膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/31

FI (2件)：

H01L 21/90 K ,  H01L 21/94 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 酸化膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-260651   出願人：学校法人東海大学
• 特開昭61-199640