特許
J-GLOBAL ID：200903075650456128

プラズマ処理装置

発明者：
田村 仁

田村 仁 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-061859
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260752
出願日： 1999年03月09日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】被処理基板に高周波電力を加えてイオンを引き込む機能を持つプラズマ処理装置において、被処理基板の面積に比べて十分大きな面積を持つアース電極が必要であった。【解決手段】本発明ではプラズマ-アース電極105間のインピーダンスを等価的に下げることのできる回路107を付加することにより、アース電極105の面積を低減できるため装置の小形化が可能となる。
請求項（抜粋）：
処理室、処理室内にプラズマを発生する手段、処理室内に備えられた被処理基板、該被処理基板に高周波を加える高周波電源、該高周波電源と被処理基板の間に設けられた整合器、該処理室内に設置されたアース電極、該処理室の排気手段、該処理室へ処理ガスを導入する機構、を備えたプラズマ処理装置において、該アース電極をインピーダンス調整機構を介して接地したことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46
FI (5件)：
H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/46 B ,  H05H 1/46 R ,  H05H 1/46 L
Fターム (20件)：
4K057DA16 ,  4K057DA20 ,  4K057DD03 ,  4K057DM21 ,  4K057DM22 ,  4K057DM23 ,  4K057DM28 ,  4K057DM29 ,  4K057DM31 ,  4K057DM33 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01 ,  5F004AA00 ,  5F004BA14 ,  5F004BA16 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BC08 ,  5F004CA06
引用特許：
審査官引用 (6件)
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