特許
J-GLOBAL ID：200903075716708360
半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法、及び電極層の接続構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-044832
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246649
出願日： 2001年02月21日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：
【要約】【課題】光取り出しを基板側から行う半導体発光素子において発光効率の高効率化を図る。【解決手段】 活性層13上に形成されたp型半導体層(GaN層)14上に、電極層16が形成され、該電極層16とp型半導体層(GaN層)14の間には活性層13で発生した光の侵入長若しくはそれ以下の厚みを有するオーミック接触を図るためのコンタクトメタル層としてニッケル層15が形成される。ニッケル層15が十分に薄いため、反射効率を高くすることができる。
請求項（抜粋）：
光透過型基板上に第一導電型半導体層と、活性層と、第二導電型半導体層とが順次積層され、前記活性層で発生した光が前記光透過型基板を介して取り出される半導体発光素子において、前記活性層上に形成された前記第二導電型半導体層上に、電極層が形成され、該電極層と前記第二導電型半導体層の間には前記活性層で発生した光の侵入長若しくはそれ以下の厚みを有するコンタクトメタル層が形成されることを特徴とする半導体発光素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 E
, H01L 33/00 C
5F041AA04
, 5F041CA04
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA82
, 5F041CA85
, 5F041CA86
, 5F041CA87
, 5F041CA92
, 5F041CA98
, 5F041CB15
