窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-097154
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294837
出願日： 1999年04月05日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【課題】本発明は、オーミック接触が得られると共に、高い反射率特性が得られるようにしたフリップチップタイプの窒化ガリウム系化合物半導体素子のp電極および該電極を用いた発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】透光性基板上にp型層が表面側となるようにして窒化ガリウム系化合物半導体をエピタキシャル成長したフリップチップタイプ素子のp電極であって、前記p電極をAg及び/またはPtの金属電極が100オングストローム以下の厚みのNi金属領域を介してp型窒化ガリウム系化合物半導体層と接触し、且つ、前記半導体の発光ピーク波長における反射率が30%以上とする。

請求項（抜粋）：

透光性基板上にp型層が表面側となるようにして窒化ガリウム系化合物半導体をエピタキシャル成長し、該半導体の前記p型層側にp電極とn電極を配設して透光性基板側から光を取出すフリップチップタイプの窒化ガリウム系化合物半導体素子のp電極であって、前記p電極は、Ag及び/またはPtの金属電極が100オングストローム以下の厚みのNi金属領域を介してp型窒化ガリウム系化合物半導体層と接触し、且つ、前記半導体の発光ピーク波長における反射率が30%以上であることを特徴とする、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子のp電極。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01S 5/343

FI (2件)：

H01L 33/00 N , H01S 3/18 677

Fターム (23件)：

5F041AA03 , 5F041AA21 , 5F041CA13 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA73 , 5F041CA74 , 5F041CA83 , 5F041CA92 , 5F041CA98 , 5F041DA09 , 5F073AB16 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB22 , 5F073CB23 , 5F073DA05 , 5F073DA16 , 5F073DA30 , 5F073DA35 , 5F073EA29 , 5F073FA30

引用特許：

審査官引用 (9件)

窒化ガリウム系半導体のp型電極およびその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-189834 出願人：日本電気株式会社
III族窒化物系化合物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-056357 出願人：豊田合成株式会社
半導体発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-341612 出願人：株式会社東芝

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