特許

J-GLOBAL ID：200903075716916427

半導体装置、半導体ウェハおよび半導体装置の製造方法

発明者： 和泉 直生 ,  阿部 俊一 ,  山崎 暁
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-070821
公開番号（公開出願番号）：特開2005-260059
出願日： 2004年03月12日
公開日（公表日）： 2005年09月22日
要約：

【課題】 半導体ウェハの切断時に発生するクラックや微細な剥離が能動素子領域に伝播することを防止して、信頼性の高い半導体装置、半導体ウェハおよび半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置は、主表面1aを有し、主表面1a上に、半導体素子が形成された能動素子領域101と、能動素子領域101の周りに延在する切断領域102とが規定されたシリコン基板1と、主表面1a上に形成された層間絶縁膜2とを備える。層間絶縁膜2には、切断領域102に位置して溝8が形成されている。半導体装置は、さらに、溝8を充填し、非金属材料を含む犠牲層3を備える。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

主表面を有し、前記主表面上に、半導体素子が形成された能動素子領域と、前記能動素子領域の周りに延在する非能動素子領域とが規定された半導体基板と、 前記主表面上に形成された層間絶縁膜とを備え、 前記層間絶縁膜には、前記非能動素子領域に位置して第1の溝が形成されており、さらに、 前記第1の溝を充填し、非金属材料を含む第1の犠牲層を備える、半導体装置。

IPC (3件)：

H01L21/768 ,  H01L21/301 ,  H01L21/3205

FI (3件)：

H01L21/90 Z ,  H01L21/88 S ,  H01L21/78 L

Fターム (18件)：

5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK19 ,  5F033PP15 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033XX17 ,  5F033XX18

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開昭60-216565号公報
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-146370   出願人：日本プレシジョン・サーキッツ株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-289689   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体ウェーハ、半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-230290   出願人：日本電気株式会社