特許

J-GLOBAL ID：200903075733281346

不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法

発明者： 河田 将人
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-231391
公開番号（公開出願番号）：特開2001-057416
出願日： 1999年08月18日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：

【要約】【課題】 容量比を大きくしながらも高信頼性及び高速アクセスを実現する。【解決手段】 AND型アレイ構成のビット線配線及びソース線配線を金属配線106で構成し、なおかつ、複数の分離酸化膜101a〜101cのうち少なくとも1つの分離酸化膜101bを、他の分離酸化膜101a,101cと比べてワード線102a〜102d下における幅を広く形成し、ワード線102a〜102d下以外の領域においてはワード線102a〜102dと交差する度に、複数のワード線102a〜102dと直交する軸を中心に左右にたがいちがいに配置し、その反対側に金属配線106と拡散層とを接続するためのコンタクト105を形成する。

請求項（抜粋）：

複数の分離酸化膜上に複数のワード線が該複数の分離酸化膜と直交するように形成され、前記複数のワード線上に該複数のワード線に直交するようにビット線及びソース線として金属配線が設けられた不揮発性半導体記憶装置において、前記複数の分離酸化膜のうち少なくとも1つは、他の分離酸化膜と比べて前記ワード線下における幅が広く形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (5件)：

H01L 27/115 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 434 ,  H01L 21/76 M ,  H01L 29/78 371

Fターム (39件)：

5F001AA23 ,  5F001AA25 ,  5F001AA43 ,  5F001AB08 ,  5F001AB09 ,  5F001AC02 ,  5F001AD15 ,  5F001AD62 ,  5F001AE50 ,  5F001AF10 ,  5F001AG10 ,  5F032AA13 ,  5F032BA02 ,  5F032BB08 ,  5F032CA17 ,  5F032CA21 ,  5F032DA23 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083EP27 ,  5F083EP55 ,  5F083EP79 ,  5F083ER03 ,  5F083ER14 ,  5F083ER21 ,  5F083GA02 ,  5F083GA22 ,  5F083JA04 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083KA06 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F083NA02

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 不揮発性半導体メモリ装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-237738   出願人：日本鋼管株式会社