特許

J-GLOBAL ID：200903075769309930

Si-Si結合を有する有機Si含有化合物を用いたSi含有薄膜の形成方法

発明者： 齋 篤
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-005285
公開番号（公開出願番号）：特開2004-266262
出願日： 2004年01月13日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：

【課題】気化安定性に優れ、高い成膜速度を有する。従来の有機Si含有化合物よりも低温での気相成長又は液相成長が可能で、かつ得られた膜強度が大きい。【解決手段】本発明のSi含有薄膜の形成方法は、次の式(1)に示されるSi-Si結合を有する有機Si含有化合物を用いてSi含有薄膜を形成することを特徴とする。【化5】 但し、R1は水素又はメチル基を示し、R2はメチル基、エチル基、プロピル基又はターシャリーブチル基を示す。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

次の式(1)に示されるSi-Si結合を有する有機Si含有化合物を用いてSi含有薄膜を形成することを特徴とするSi含有薄膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L21/318 ,  C23C16/42 ,  H01L21/316

FI (3件)：

H01L21/318 B ,  C23C16/42 ,  H01L21/316 G

Fターム (18件)：

4K030AA01 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030LA15 ,  5F058BA04 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF46

引用特許：

出願人引用 (1件)

• シリコン窒化膜の形成方法、形成装置及びこの形成装置の洗浄前処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-030756   出願人：東京エレクトロン株式会社

審査官引用 (1件)

• CVD法によるシリコン窒化物膜またはシリコンオキシ窒化物膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-367126   出願人：レール・リキード-ソシエテ・アノニム・ア・ディレクトワール・エ・コンセイユ・ドゥ・スールベイランス・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード