固体撮像素子及びデジタルスチルカメラ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小栗昌平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-105128
公開番号（公開出願番号）：特開2003-304456
出願日： 2002年04月08日
公開日（公表日）： 2003年10月24日
要約：

【要約】【課題】固体撮像素子の画素数よりも高い解像度の画像を高精度に得る。【解決手段】半導体基板上の行方向及び列方向に所定の配列間隔で形成された光電変換素子3r,3g,3bと、光電変換素子間の列方向に沿って設けられ光電変換素子による信号電荷が読み出され転送される垂直転送路4a,4b,4c,...と、垂直転送路の上部を覆う遮光膜とを備えた固体撮像素子において、前記遮光膜のうち虚画素点位置に対応する場所に透孔7を設ける。これにより、透孔7を通して虚画素点の受光量に応じた実際の信号(虚画素点電荷)が垂直転送路に蓄積されるため、信号電荷を光電変換素子から読み出す前にこの虚画素点電荷を固体撮像素子から読み出し、信号電荷による画像データを実際の虚画素点電荷で補正することで、高い解像度の画像を生成することが可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の行方向及び列方向に所定の配列間隔で形成された光電変換素子と、該光電変換素子間の前記列方向に沿って設けられ前記光電変換素子による信号電荷が読み出され転送される垂直転送路と、該垂直転送路の上部を覆う遮光膜とを備えた固体撮像素子において、前記遮光膜のうち虚画素点位置に対応する場所に透孔を設けたことを特徴とする固体撮像素子。

IPC (3件)：

H04N 5/335 , H01L 27/148 , H04N 9/07

FI (5件)：

H04N 5/335 U , H04N 5/335 F , H04N 5/335 P , H04N 9/07 A , H01L 27/14 B

Fターム (26件)：

4M118AB01 , 4M118BA10 , 4M118BA13 , 4M118CA02 , 4M118CA19 , 4M118CA20 , 4M118FA06 , 4M118FA07 , 4M118FA33 , 4M118FA43 , 4M118GB03 , 4M118GB06 , 4M118GC07 , 5C024CX37 , 5C024CX51 , 5C024CY31 , 5C024GX02 , 5C024HX02 , 5C024HX55 , 5C024JX21 , 5C024JX31 , 5C024JX46 , 5C065AA03 , 5C065BB48 , 5C065CC01 , 5C065DD02

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-153193
固体電子撮像装置およびその動作制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-165991 出願人：富士写真フイルム株式会社
特開平3-190392

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